CISSOID+ EVK-HADES®1210

EVK-HADES®1210

• 板尺寸：68mm*54mm

• 工作温度：-55°到+225°C（TJ）之间

• 200°C聚酰印刷电路板

• 符合175°C环境条件的电路板：允许短距离偏移至225°C进行测试

• 隔离的高侧和低侧闸门驱动器

• 提供浮动驱动器的隔离DC-DC转换器

• 高温10A/1200V SiC MOSFET开关

• 直流母线电压：600V典型（较大设计为1200V）

• 隔离（一次-二次）：2500Vac@50Hz（对于1mn）>100MΩ@500Vdc

• 共模瞬态抗扰度：30kv/μs典型（设计用于50kv/μs）

• 延迟时间（脉宽调制到输出电压）：200ns典型值。

• 栅较电压：20V/-5V，额定值

• 功率场效应晶体管栅较上升时间：40ns典型。

• 功率场效应晶体管栅较下降时间：40ns典型值。

• 直流-直流变换器开关频率：180kHz典型。

• 单电源：【12-15V】±10%

• 接口电压（数字I/O）：15V±10%

• 欠压锁定（uvlo）

• HS和LS驱动器的独立PWM输入或单PWM输入，板上不重叠

• 去饱和保护

• 隔离故障输出